IC660EBA021 GE Genius I/O ব্লক ইলেকট্রনিক্স সমাবেশ 18 থেকে 56 ভোল্ট ডিসি 6 ইনপুট সার্কিট

GE Fanuc IC660EBA021 Genius I/O ব্লক ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি GE Genius I/O RTD (রেজিস্টটিভ টেম্পারেচার ডিটেক্টর) ইনপুট ব্লকের জন্য তৈরি করা হয়েছে। IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি একটি টার্মিনাল অ্যাসেম্বলির সাথে একটি সম্পূর্ণ ফ্যাক্টরি-অ্যাসেম্বলড মডিউল হিসাবে বা ৬ ইনপুট চ্যানেল সহ একটি একক ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি হিসাবে আলাদাভাবে অর্ডার করা যেতে পারে। IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলিতে ৬টি ইনপুট সার্কিট রয়েছে যা ২টির ৩টি গ্রুপে সাজানো হয়েছে, প্রতিটি গ্রুপের মধ্যে ৩০0 ভোল্ট পর্যন্ত আইসোলেশন রয়েছে। প্রতিটি IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি ইনপুট নিকেল, কপার, বা প্লাটিনাম রেজিস্টটিভ টেম্পারেচার ডিটেক্টর (RTDs) এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, এবং প্রতিটি ইনপুট চ্যানেল থেকে ইনপুট ডেটা নির্বাচিত RTD টাইপের জন্য লিনিয়ারাইজ করা হয়। IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি ফ্যাক্টরি-ক্যালিব্রেটেড এবং এর জন্য অতিরিক্ত ফিল্ড ক্যালিব্রেশনের প্রয়োজন হয় না। এটি ওপেন ওয়্যার ডিটেকশন, আন্ডার রেঞ্জ/ওভার-রেঞ্জ ডিটেকশন, শর্ট-সার্কিট ডিটেকশন, ফল্ট ডিটেকশন এবং এরর ডিটেকশন সহ বিল্ট-ইন ডায়াগনস্টিকস এবং প্রোটেক্টিভ ফাংশন সহ আসে যা মসৃণ অপারেশনের জন্য অনুমতি দেয়।

IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলির একটি ব্লক ভোল্টেজ রেঞ্জ ১৮.০ থেকে ৫৬.০ ভোল্ট ডিসি এবং সর্বোচ্চ পাওয়ার রেটিং ৭.০ ওয়াট রয়েছে। এর ৬টি ইনপুট চ্যানেলের ০.১ ডিগ্রী সেলসিয়াস রেজোলিউশন এবং পরম নির্ভুলতা মান +/-১.০ ডিগ্রী সেলসিয়াস (প্লাটিনাম বা নিকেল RTDs) এবং +/-১০ ডিগ্রী সেলসিয়াস (কপার RTDs) রয়েছে। IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলির নির্বাচনযোগ্য ইনপুট আপডেট এবং ফিল্টার সময় (৪০০ মিলিসেকেন্ড, ৮০০ মিলিসেকেন্ড, বা ১৬০০ মিলিসেকেন্ড) এবং ০ থেকে ৫০০০ ওহম এর একটি রেজিস্ট্যান্স পরিমাপ রেঞ্জ রয়েছে। IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি CPU-তে ডেটা পাঠায় দশমাংশ ডিগ্রী সেলসিয়াস, ডিগ্রী ফারেনহাইট, ওহম, বা কাউন্ট ফরম্যাটে। IC660EBA021 ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি টার্মিনাল অ্যাসেম্বলি বেসে ইনস্টল করা যেতে পারে এটিকে বেসের সাথে পুরোপুরি সারিবদ্ধ করে এবং টার্মিনাল অ্যাসেম্বলির উপরে এবং নীচে রিটেইনিং স্ক্রু দিয়ে শক্তভাবে সুরক্ষিত করে।