Ge Fanuc IC660TSD020 An একটি I/O ব্লকের জন্য টার্মিনাল সমাবেশ ， 18 থেকে 56 ভোল্ট ডিসি

GE Fanuc IC660TSD020 টার্মিনাল সমাবেশ হল ক্যাটালগ নম্বর IC660BBD020 সহ একটি I/O ব্লকের জন্য একটি টার্মিনাল সমাবেশ।IC660BBD020 ব্লকের জন্য ইলেকট্রনিক্স সমন্বয়কারী যা IC660TSD020 টার্মিনাল সমন্বয়ের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, এর ক্যাটালগ নম্বর IC660EBD020. জিই ফ্যানুক আইসি 660 বিবিডি 020 আই / ও ব্লক একটি ডিসি চালিত 16 সার্কিট উত্স / সিঙ্ক ব্লক যা একটি কনফিগারযোগ্য আই / ও ব্লক যা ডিসি অ্যাকচুয়েটর এবং সেন্সরগুলির বিস্তৃত পরিসরের সাথে ইন্টারফেস করতে পারে।IC660BBD020 ব্লকটি একটি 24/48 ভোল্ট ডিসি রেটযুক্ত উত্স ব্লক যা 3-ক্যার সলিড স্টেট সেন্সর এবং বৈদ্যুতিন যান্ত্রিক সেন্সরগুলির সাথে ব্যবহার করা যেতে পারে. আইসি 660 বিবিডি 020 ব্লকের 16 টি সার্কিটগুলির প্রতিটি ইনপুট, ত্রিশত ইনপুট, বা আউটপুট হিসাবে কনফিগার করা যেতে পারে। আইসি 660 বিবিডি 020 আই / ও ব্লকের জন্য প্রয়োজনীয় সাধারণ শক্তি 150 মিলিঅ্যাম্পার।ব্লক শক্তি বর্তমান প্রয়োজনীয়তা 300 মিলিঅ্যাম্পের পর্যন্ত যেতে পারে.

IC660TSD020 টার্মিনাল সমাবেশ এবং সমগ্র IC660BBD020 ব্লকের জন্য একটি একক উত্স থেকে অপারেটিং ভোল্টেজ এটি অংশ 18 থেকে 56 ভোল্ট ডিসি থেকে পরিসীমা। 16 আউটপুট 2 Amps এ কাজ করে,ব্লকের তাপ অপচয় ৬৮.8 ওয়াট। ব্লকটিতে প্রতিটি পৃথক সার্কিটের জন্য এলইডি রয়েছে যা লোড পাশের নির্দেশাবলী প্রদর্শন করে। ব্লকটিতে এলইডিও রয়েছে যা ব্লকের অবস্থা প্রদর্শন করে। আইসি 660 বিবিডি 020 ব্লকটিতে 1.ইনপুট প্রসেসিং সময় 7 মিলিসেকেন্ড এবং 5.6 কিলোওহ্ম ইনপুট প্রতিবন্ধকতা। ব্লকটি নিম্নলিখিত ইনপুট ডায়াগনস্টিকগুলি সমর্থন করেঃ খোলা তার, ব্যর্থ সুইচ, এবং অতিরিক্ত তাপমাত্রা ডায়াগনস্টিক। স্থিতিশীল অবস্থা আউটপুট বর্তমান প্রতি সার্কিট 2 Amps হয়।ইনরুশ বর্তমান 10 Amps পর্যন্ত যেতে পারে. ব্লক আউটপুট বর্তমান 35 ডিগ্রি সেলসিয়াস এ 15 Amps হয়. ন্যূনতম প্রস্তাবিত লোড কোন লোড সক্রিয় সঙ্গে 50 milliamps হয়.আইসি৬৬০টিএসডি০২০ টার্মিনাল সেন্ট্রাল এবং পুরো আই/ও ব্লকের জন্য জিই ফ্যানুকের প্রস্তাবিত অপারেটিং তাপমাত্রা ০ থেকে ৬০ ডিগ্রি সেলসিয়াস.