Ge Fanuc IC660TSS100 I I/O ব্লকের জন্য টার্মিনাল অ্যাসেম্বলি ， 115 ভোল্ট এসি বা 125 ভোল্ট ডিসি

GE Fanuc IC660TSS100 টার্মিনাল অ্যাসেম্বলি হল GE Fanuc থেকে I/O ব্লকের জন্য একটি টার্মিনাল সমাবেশ যার ক্যাটালগ নম্বর IC660BBS100 বা IC660BBS101 রয়েছে।IC660BBS100 I/O ব্লক হল একটি 115 বা 125 ভোল্টের DC বিচ্ছিন্ন I/O ব্লক যা ব্যর্থ সুইচ ডায়াগনস্টিকস রিপোর্ট করে এবং IC660BBS101 I/O ব্লক হল 115 থেকে 125 ভোল্টের DC বিচ্ছিন্ন I/O ব্লক যা ব্যর্থ সুইচের রিপোর্ট করে না।IC660BBS100 I/O ব্লকও ব্যর্থ সুইচ ডায়াগনস্টিক রিপোর্ট করবে যদি কোনো আউটপুটের সুইচ অবস্থা নির্দেশিত অবস্থার মতো না হয়।IC660BBS100 এবং IC660BBS101 I/O ব্লকগুলি সাধারণভাবে 8 ওয়াট তাপ উৎপন্ন করে, এবং তারা 100% ডিউটি ​​সাইকেলে প্রতিটি ইনপুট সার্কিটের জন্য 4.7 ওয়াট তাপ উৎপন্ন করে যা 2 Amps ডুবে যায় এবং তারা প্রতিটি ওয়াটের জন্য 1.1 ওয়াট তাপ উৎপন্ন করে সার্কিট যা 100% ডিউটি ​​চক্রে কাজ করছে।GE Fanuc I/O ব্লকগুলি IC660TSS100 টার্মিনাল অ্যাসেম্বলি এবং একটি সামঞ্জস্যপূর্ণ ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলির মতো একটি টার্মিনাল অ্যাসেম্বলি দিয়ে গঠিত।IC660TSS100 টার্মিনাল এসেম্বলি GE ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলির আগের সংস্করণ যেমন IC660EBS100A থেকে G ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি বা IC660EBS101A বা B ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ নয়।

যদি GE Fanuc RX3i IC660TSS100 টার্মিনাল অ্যাসেম্বলি একটি I/O ব্লকে টার্মিনাল অ্যাসেম্বলির একটি পুরানো সংস্করণ প্রতিস্থাপন করতে ব্যবহার করা হয়, তাহলে ইলেকট্রনিক্স সমাবেশকেও আপগ্রেড করতে হবে।এটি IC660EBS101C ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি বা IC660EBS100H ইলেকট্রনিক্স অ্যাসেম্বলি বা পরবর্তী সংস্করণগুলির সাথে ইলেকট্রনিক্স সমাবেশ প্রতিস্থাপন করে করা যেতে পারে।এটি উপলব্ধ আপগ্রেড কিটগুলির একটির মাধ্যমে ইলেকট্রনিক্স সমাবেশ ফার্মওয়্যার আপগ্রেড করেও করা যেতে পারে।IC660TSS100 টার্মিনাল অ্যাসেম্বলির পরিবেশগত বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে স্টোরেজ এবং পরিবহনের জন্য -40 থেকে 212 ডিগ্রি ফারেনহাইট তাপমাত্রার পরিসর, অপারেশনের জন্য একটি 32 থেকে 140 ডিগ্রি ফারেনহাইট তাপমাত্রার পরিসর এবং উভয়ের জন্য 5 থেকে 95% আপেক্ষিক আর্দ্রতার পরিসর (অ ঘনীভূত)। অপারেশন এবং স্টোরেজ।কম্পন রেটিং 0.2 ইঞ্চি স্থানচ্যুতি সহ 5 থেকে 10 হার্টজ।